據(jù)報(bào)導(dǎo)，復(fù)旦大學(xué)和中國科學(xué)院微電子研究所的Long-Fei He和相關(guān)研究人員最近在新的應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)（AIP）期刊上發(fā)表了一個(gè)關(guān)于新型態(tài)存儲器的論文。

 

因?yàn)榇蠖鄶?shù)現(xiàn)有的存儲器技術(shù)都太過笨重，無法整合應(yīng)用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設(shè)計(jì)和材料，嘗試制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設(shè)備。

 

在這項(xiàng)新的研究中，研究人員通過二維過度金屬材料“二硫化鉬”（MoS2）的應(yīng)用，研發(fā)出一種原子級薄度的半導(dǎo)體，它的電導(dǎo)率（conductivity）可以被精細(xì)的調(diào)整，進(jìn)而形成具有高開關(guān)電流比的存儲器基礎(chǔ)元件。

 

除此之外，團(tuán)隊(duì)也在反復(fù)測試中證明，這類型存儲器具有運(yùn)行速度快、大容量的存儲器空間和卓越的存儲性，研究人員估計(jì)，即使處在85°C（185°F）的高溫下10年，儲存空間仍可以保存原有的60%左右，對于實(shí)際應(yīng)用來說完全足夠。

 

過去已有研究證實(shí)二硫化鉬具有光敏性（photoresponsive），這意味著一些性質(zhì)可以通過運(yùn)用光來控制，為了了解實(shí)際應(yīng)用情況，團(tuán)隊(duì)也實(shí)際進(jìn)行了相關(guān)實(shí)驗(yàn)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，當(dāng)光線照射到已編程的存儲設(shè)備上時(shí)，儲存資料被完全消除，但同時(shí)運(yùn)用電壓抹除資訊的方式也仍然可以使用。

 

負(fù)責(zé)人表示，團(tuán)隊(duì)目前正在研究透過編程可控的光脈沖波長和時(shí)間，來大規(guī)模整合這種儲存元件。研究人員相信未來這種儲存設(shè)備，將會在系統(tǒng)整合型面板的應(yīng)用上扮演重要角色。 

本文關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體存儲器

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