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偽靜態(tài)存儲器(Parrallel pSRAM)的設(shè)計是用于直接替代靜態(tài)隨機存儲器(SRAM),即使內(nèi)部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨機存儲器(PSRAM)及鐵電隨機存儲器(F—RAM)。PSRAM針對慢速SRAM應(yīng)用;當(dāng)純粹計算每個位的成本時具有競爭優(yōu)勢。F-RAM針對電池后備SRAM(即BBSRAM)應(yīng)用,在系統(tǒng)成本及產(chǎn)品供應(yīng)方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標(biāo)用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得,在這種應(yīng)用中可以提供卓越的性能。
安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責(zé)任公司是一家以市場為導(dǎo)向的無晶圓半導(dǎo)體公司。專注于利基市場(Niche market)專用芯片/小型SOC芯片及整體解決方案,第一代產(chǎn)品涉及千兆/萬兆USB網(wǎng)口芯片以及音視頻接口芯片。提供創(chuàng)新、高品質(zhì)、高性價比、 供貨持續(xù)穩(wěn)定的芯片,并通過提供軟硬件Turnkey solution,降低客戶研發(fā)難度,縮短客戶量產(chǎn)時程。產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。
 
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