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? 偽靜態(tài)存儲(chǔ)器（Parrallel pSRAM）的設(shè)計(jì)是用于直接替代靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM），即使內(nèi)部存儲(chǔ)器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲(chǔ)器分別是偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（PSRAM）及鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應(yīng)用；當(dāng)純粹計(jì)算每個(gè)位的成本時(shí)具有競爭優(yōu)勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應(yīng)用，在系統(tǒng)成本及產(chǎn)品供應(yīng)方面具有競爭力。F-RAM還有一個(gè)目標(biāo)用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得，在這種應(yīng)用中可以提供卓越的性能。

JSC濟(jì)州半導(dǎo)體致力于PSRAM芯片領(lǐng)域，并成為了全球半導(dǎo)體PSRAM存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域解決方案供應(yīng)商之一。
由于濟(jì)州半導(dǎo)體出道到SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和4M SRAM的2001市場，濟(jì)州半導(dǎo)體持續(xù)實(shí)施全系列低功耗SRAM產(chǎn)品通過1M、2M、4M至8M SRAM，也包括8M至64M的PSRAM存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品，產(chǎn)品線主要是由SRAM芯片、PSRAM芯片、NAND FLASH組成。

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