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技術(shù)支持

單片機GD32F205RCT6外擴(kuò)SRAM

2018-09-18 11:33:57

       GD32F205RCT6是基于Cortex M3內(nèi)核32bit(位)通用型MUC產(chǎn)品,主頻為120MHz, 片內(nèi)閃存(Flash) 最大為256KB, RAM最大為128KB, 供電電壓范圍為2.6V-3.6V,內(nèi)核的供電電壓為1 .2V, l/O口可承受5V電平,內(nèi)嵌實時時鐘(RTC) 和2個看門狗(WDG), 集成了豐富的外設(shè)功能,這款單片機GD32F205RCT6面向工業(yè)和消費類嵌入式應(yīng)用,適用于工業(yè)自動化、人機界面、電機控制、安防監(jiān)控、智能家居家電及物聯(lián)網(wǎng)等,  

      單片機GD32F205RCT6內(nèi)置SRAM為128KB的內(nèi)存,但在面對實際上的應(yīng)用設(shè)計中,如果出現(xiàn)單片機內(nèi)置SRAM內(nèi)存不夠的情況,大部分設(shè)計人員會考慮外擴(kuò)SRAM,SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快,也不存在讀寫限制的問題,確實是考慮外擴(kuò)內(nèi)存的首選,但如果采用并口外擴(kuò)內(nèi)存需要較多的MCU管腳,給MCU無形中帶來了更多功能性的限制,并且也并非大部分的MCU可以支持, 如果采用串行SRAM作為單片機外擴(kuò)的資源,相對來說更好,串行SRAM只需要八個管腳,SOP-8的封裝可以讓PCBA減少一定的面板面積,

      GD32F205RCT6這款MCU是支持SPI接口的,并且有三個SPI,可以通過用SPI接口外擴(kuò)串行SRAM對單片機進(jìn)行內(nèi)存的拓展。串行SRAM其實嚴(yán)格來說是一種偽靜態(tài)SRAM,也有人叫做PSRAM, PSRAM - Pseudo SRAM是一種具有SRAM接口協(xié)議(無需刷新,無需DRAM控制器)、具有DRAM單管存儲結(jié)構(gòu)的存儲器,比SRAM容量大很多,價格便宜很多,比SDRAM容易使用,功耗也低很多。不失為外擴(kuò)單片機內(nèi)存的一種解決方案。

      我司推薦一款串行SRAM,容量為8MB并有高達(dá)50MB/s的帶寬。只需要由SPI或QPI接口并可以使用,可以提供400MB/s或者3.2Gbps的數(shù)據(jù)吞吐速率。

以下為型號參考:

Density Organization Part NO. Vcc(V) Speed(MHz) Bus Modes Temp. Package
64Mbit 8M x 8 VTI7064LSM 1.8 104 SQI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064MSM 3 104 SQI C,I 8-SOIC
64Mbit 8M x 8 VTI7064MSM 3 20 SPI C,I 8-SOIC
32Mbit 4M x 8 VTI7032LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
32Mbit 4M x 8 VTI7032LSM 1.8 133 SQI C,I 8-SOIC
16Mbit 2M x 8 VTI7016LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
16Mbit 2M x 8 VTI7016LSM 1.8 133 SQI C,I 8-SOIC
1Mbit 128K x 8 VTI7001LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
1Mbit 128K x 8 VTI7001NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
512Kbit 64K x 8 VTI7512LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
512Kbit 64K x 8 VTI7512NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
256Kbit 32K x 8 VTI7256LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
256Kbit 32K x 8 VTI7256NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC
128Kbit 16K x 8 VTI7128LSM 1.8 20 SPI C,I 8-SOIC
128Kbit 16K x 8 VTI7128NSM 3.3 20 SPI C,I 8-SOIC


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