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Everspin宣布將推出ST-MARAM

2017-08-15 16:28:05

據(jù)外媒報道,磁性隨機存取內(nèi)存(MRAM)將在今年內(nèi)到達一個全新的高度。Everspin近期宣布開始嘗試制造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片,除此之外他們已經(jīng)將這款高壽命、非易失性的內(nèi)存芯片生產(chǎn)提上議程。Everspin的ST-MRAM能夠供給耐久的記憶能力,與普通的NAND閃存技術相比,ST-MRAM能夠減少寫入放大倍數(shù)并具有更好的耐用性。
 
這款新芯片采用的則是一個兼容DDR4的接口。這家公司表示,供應商可以利用持久的記憶技術設計企業(yè)級SSD或?qū)ΜF(xiàn)有的儲存產(chǎn)品展開進一步的改善。
 
據(jù)了解,ST-MARAM的密度要比Everspin旗下現(xiàn)有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin指出,從Global Foundries的40nm工藝到foundry 28nm工藝的轉變是開發(fā)這種千兆級芯片的關鍵,另外它還說明了公司垂直磁性隧道結(pMTJ)的可擴展性。
 
首批配備Everspin全新千兆MRAM芯片的產(chǎn)品之一將來自Smart Modular公司。該公司計劃發(fā)布一款NVMe PCIe硬盤,它的重量和長度都將減半,其將用于元數(shù)據(jù)緩存和儲存加速應用。Smart Modular表示,該產(chǎn)品單元在4K隨機讀寫測試中能夠達到1500K IOPS。

本文關鍵詞:ST-MARAM  MRAM

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