南亞科10nm DRAM提上日程
2017-08-07 15:29:56
近日DRAM廠南亞科舉行了總部落成典禮，總經(jīng)理李培瑛在典禮上透露，新廠即將開始生產(chǎn)20納米DRAM，這同時也在為南亞科10納米打下堅實研發(fā)基礎。李培瑛會后指出，南亞科針對10納米已有研發(fā)計劃，有兩套方案正在進行中，一套是自主研發(fā)，另一個則是取得美光技術授權，生產(chǎn)制程技術持續(xù)往先進方向發(fā)展。李培瑛認為，南亞科同時進行兩個方案，持續(xù)往先進制程發(fā)展，也才能讓南亞科技旭永續(xù)經(jīng)營。
李培瑛表示，南亞科新營運總部，對于南亞科來說是標志制程正式進入20 納米，南亞科將可為客戶提供一系列20 納米制程產(chǎn)品，除現(xiàn)在的LPDDR4，未來也將進入DDR5 與DDR6。新總部啟用后，將原本分散在3 個地方的廠區(qū)集中一起，而新廠擴建的無塵室廠房，將是未來20 納米與10 納米的生產(chǎn)基地。
未來每年創(chuàng)造200億新產(chǎn)值
總經(jīng)理李培瑛指出，新廠與設備總投資金額為557億元，新的20納米工藝，加上原有的30納米制程，總投片量將達6.8萬片，未來每年將可為南亞科創(chuàng)造200億元產(chǎn)值。
李培瑛表示，此次投產(chǎn)的20 納米晶圓廠FAB 3AN，包含廠房與設備投資總金額達557 億元，加上另一棟3A 廠房，總投資金額為1800 億元。
南亞科新廠位在新北市泰山南林園區(qū)新設總部及廠房，更遵循臺灣綠建筑評估系統(tǒng)EEWH 規(guī)劃興建，采用低污染、可循環(huán)利用的建筑材料，并使用各類節(jié)能設計，包含綠化量、空調節(jié)能、照明節(jié)能、二氧化碳減量指標等，水資源與基地保水指標優(yōu)于法規(guī)設計，展現(xiàn)綠建筑設計原則。
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