內(nèi)存市場目前正打得火熱，不僅DRAM供需出現(xiàn)緊缺狀況，業(yè)界預測，現(xiàn)在就算有錢也不一定能買到NAND Flash部分規(guī)格產(chǎn)品，供需缺口至少持續(xù)到今年年底，如果下半年蘋果iPhone 8大賣，相關(guān)缺口將會擴大得更多，價格也會居高不下。   
       業(yè)者指出，可以預料到今年全年的NAND Flash供需都會非常緊張。 現(xiàn)在TLC產(chǎn)品是大缺貨狀態(tài)，2D的TLC在原廠逐漸轉(zhuǎn)進3D NAND之后，供給量持續(xù)變少，而且?guī)缀醵际枪┴浗o蘋果了。至于3D TLC NAND，目前有48層堆棧產(chǎn)品，但正在轉(zhuǎn)進64層堆棧的過程中。
        同時，業(yè)界估計，3D TLC NAND新產(chǎn)品供給量從第2、3季起會慢慢增加，不過變量是因為蘋果iPhone 8即將面市，到時候如果銷售量超乎預期，對于NAND Flash的消耗量會很大，市場供需吃緊的情況就很難得到改善。
業(yè)內(nèi)人士大多認為NAND Flash缺貨情況最少持續(xù)到今年底，甚至有可能會蔓延到明年第1季。 至于價格方面，今年基本上都會居高不下，不會有回跌的跡象。
        至于在DRAM方面，雖然供需缺口沒有NAND Flash嚴重，第2季會延續(xù)第1季的價格上漲態(tài)勢。 業(yè)者認為，DRAM市況供需稍有吃緊，缺口約2%至3%，主要是因為DRAM三巨頭今年都以提高新制程產(chǎn)出為主，并未大幅擴增產(chǎn)能。
而在需求端，各類DRAM的庫存都較少，手機與服務(wù)器的搭載量都持續(xù)增加，中高端智能機的主存儲器容量約為4GB至6GB，旗艦機為8GB，持續(xù)推動DRAM需求成長。
        同時，服務(wù)器市場需求仍維持強勁，高端筆記本新機的內(nèi)存標準配備從8GB起跳。 另外，4K電視滲透率提高、機頂盒、網(wǎng)絡(luò)相機、智能表、車工規(guī)應(yīng)用需求也熱絡(luò)，都推升DRAM搭載量。
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