2021年全球存儲產(chǎn)品全線提價。2月底的DRAM、內(nèi)存模塊、NAND FLASH、NOR Flash等的價格均出現(xiàn)調(diào)漲。以內(nèi)存的價格為例——DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，截至今年2月3日，8Gb DDR4內(nèi)存顆粒報價達(dá)到3.93美元，去年8月的報價僅為2.54美元。
 
去年下半年因疫情管控、停電、產(chǎn)能緊張、超額預(yù)訂等問題突顯，加上晶圓代工產(chǎn)能吃緊、原廠釋放到SSD渠道市場的NAND Flash資源較少、大廠增加了備貨庫存……諸多因素疊加，對產(chǎn)能產(chǎn)生了排擠效應(yīng)。隨著PC、5G手機(jī)、汽車、數(shù)據(jù)中心對存儲性能和容量需求的不斷提升，預(yù)期2021年NAND閃存行業(yè)會大幅增長，對Client SSD 主控芯片、eMMC/UFS主控芯片及車用儲存的需求也會明顯增加。
 
當(dāng)前即使緊急新增投產(chǎn)8英寸晶圓產(chǎn)線，在短期內(nèi)也較難看到明顯的產(chǎn)能增長。近期臺積電宣布取消12英寸晶圓代工3%的折扣，業(yè)內(nèi)猜測12英寸晶圓產(chǎn)能也將吃緊。再加上終端需求在提升，在晶圓產(chǎn)能尚未緩解之前，存儲產(chǎn)業(yè)鏈也或?qū)⒚媾R緊張的局面。
 
就算不考慮最直接的產(chǎn)能問題，發(fā)展大數(shù)據(jù)存儲也要解決很多問題。據(jù)IDC預(yù)測，2023年將有超過100ZB的數(shù)據(jù)產(chǎn)生，這將改變大家對整個行業(yè)的看法和預(yù)期，也對下一代存儲技術(shù)提出新的要求。
 
數(shù)據(jù)量的增長也將給大數(shù)據(jù)存儲帶來新的挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)包括——“如何提高存儲的安全性”“減低傳輸?shù)难舆t性”“適當(dāng)?shù)匕褦?shù)據(jù)依級存儲”。當(dāng)5G、IoT將進(jìn)入ZB存儲時代，新的數(shù)據(jù)將以等比的成長速度不斷產(chǎn)生，舊的存儲架構(gòu)將無法滿足應(yīng)用。Arm的存儲方案團(tuán)隊很早就針對新的應(yīng)用，提供完整的即時處理器/應(yīng)用處理器/安全性IP與系統(tǒng)IP，如去年推出的Cortex-R82，專為加速下一代企業(yè)與計算型存儲解決方案的發(fā)展與部署所設(shè)計。
 
伴隨5G及IoT的普及，各類數(shù)據(jù)將匯集至云端并加以保存和利用，閃存及固態(tài)硬盤將成為大數(shù)據(jù)存儲端的主角，為了足以應(yīng)對全球?qū)?shù)據(jù)存儲的強(qiáng)勁需求，首先增加閃存及固態(tài)硬盤的供應(yīng)量，并通過采取技術(shù)革新手段，不斷增加每片芯片、每臺驅(qū)動器的容量，為構(gòu)筑數(shù)字化轉(zhuǎn)型所需的基礎(chǔ)設(shè)施做出貢獻(xiàn)。
 
大數(shù)據(jù)存儲的落地主要面臨三大挑戰(zhàn)：第一，海量、多元數(shù)據(jù)的存放。分布在多個平臺和地理位置的數(shù)據(jù)被以不同的?式采集與傳輸，數(shù)據(jù)從單?內(nèi)部?數(shù)據(jù)形態(tài)向多元動態(tài)?數(shù)據(jù)發(fā)展，?量?本、圖?、視頻等?結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)正源源不斷產(chǎn)?和存儲；第二，數(shù)據(jù)的實(shí)時處理。到2023年實(shí)時數(shù)據(jù)將占全球數(shù)據(jù)圈25%的份額。其中金融的風(fēng)險評估、交通的自動駕駛、運(yùn)營商的智能網(wǎng)絡(luò)等許多場景，都要依賴快速實(shí)時的數(shù)據(jù)采集、存儲和分析得以實(shí)現(xiàn)；第三，非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)以及將其結(jié)構(gòu)化后的數(shù)據(jù)，在多云之間的流動、共享。到2022年50％以上的由企業(yè)生成的數(shù)據(jù)，將在數(shù)據(jù)中心或云端以外的地方進(jìn)行創(chuàng)建和處理。這些數(shù)據(jù)可能會被保存在私有云、公有云上，在不同公有云之間進(jìn)行共享。
 
信息技術(shù)與經(jīng)濟(jì)社會的交匯融合引發(fā)了數(shù)據(jù)迅猛增長，企業(yè)級、消費(fèi)級存儲空間需求激增。傳統(tǒng)數(shù)據(jù)庫在應(yīng)付海量數(shù)據(jù)時，暴露出并發(fā)性低，擴(kuò)展性差，效率低下等問題。大數(shù)據(jù)存儲呈現(xiàn)高效能、低成本、低延時的發(fā)展趨勢。
 
由于海量的數(shù)據(jù)無法被完全存儲下來，“如何盡可能地提升存儲容量”或“哪些數(shù)據(jù)有被存儲的價值”將是廠商考量的重點(diǎn)。未來全球?qū)?0%左右的數(shù)據(jù)由機(jī)器產(chǎn)生，這主要是順序型寫入的流媒體數(shù)據(jù)，弄清楚“哪些數(shù)據(jù)需要被實(shí)時計算”“哪些數(shù)據(jù)需要被存儲”非常關(guān)鍵，這些非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)如何實(shí)現(xiàn)“瘦身”、提升存儲效能？


本文關(guān)鍵詞： NAND FLASH

相關(guān)文章： ?NOR Flash市場增量的幾大應(yīng)用領(lǐng)域
 

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。