Everspin科技公司一款并行MRAM芯片MR0A16AVMA35，由65,536字 x 16位構(gòu)成，芯片的工作電壓為3.3V，封裝48-BGA球柵陣列封裝，工作溫度范圍-40 to +105C，具有高可靠性以及有無(wú)限的寫(xiě)入周期及35ns讀寫(xiě)時(shí)間和兼容SRAM周期，引腳布局采用現(xiàn)有的SRAM控制器，無(wú)需重新設(shè)計(jì)在工作溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，并消除了組裝電池以及可靠性問(wèn)題和不利因素。典型的應(yīng)用包括計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)及服務(wù)器、工業(yè)自動(dòng)化和機(jī)器人、電能管理、交通以及軍用/航空系統(tǒng)。35ns的快速讀/寫(xiě)周期 

產(chǎn)品型號(hào)參考如下：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃

 

本文關(guān)鍵詞：Everspin

 

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