Everspin 4Mb并行MRAM芯片MR2A16AYS35

2018-05-25 14:36:44

Everspin Technologies公司是全球領先的分立和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的設計，制造領導者，其市場和應用領域的數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。憑借在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源，工業(yè)，汽車和運輸市場部署的超過7000萬個MRAM和ST-MRAM產(chǎn)品，Everspin建立了世界上MRAM用戶最強大，發(fā)展最快的基礎。

這款4Mb MRAM的引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR2A16A目標應用為工業(yè)自動化、機器人、網(wǎng)絡和數(shù)據(jù)儲存、多功能打印機、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設計的系統(tǒng)。

MR2A16A采用400-mil、44引腳薄小外形TSOP2封裝，或8 mm x 8 mm 48引腳球柵陣列 (BGA) 封裝（球中心距為0.75mm）。這兩種封裝形式均與較小的低功耗SRAM以及其他非易失性RAM兼容。

特性

256K x 16 MRAM存儲器 (MR2A16A)

35ns的快速讀/寫周期

SRAM兼容時序，采用現(xiàn)有的SRAM控制器，而無需重新設計

出色的耐讀/寫能力

在工作溫度范圍內(nèi)數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失

一個存儲器即可替代系統(tǒng)中的閃存、SRAM、EEPROM和BBSRAM，獲得更簡單、高效的設計

用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，無需組裝電池，也了提高可靠性

3.3V電源

掉電時提供自動數(shù)據(jù)保護功能

商業(yè)、工業(yè)以及汽車級溫度范圍

符合RoHS標準的SRAM TSOPII封裝

符合RoHS標準的SRAM BGA封裝，電路板面積縮小3倍
?型號表如下

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +125℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文關鍵詞：Everspin

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2018-05-25 14:36:44

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