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為啥說(shuō)2017年是國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器發(fā)展元年?

2017-04-10 14:43:30

       近日從中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)主辦、賽迪顧問(wèn)承辦的“2017中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)暨第六屆中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會(huì)”得知,2017年有望成為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器大規(guī)模主流化發(fā)展元年。 
       3D NAND Flash、DRAM是智能手機(jī)必需的存儲(chǔ)芯片,中國(guó)企業(yè)一直沒(méi)加入這兩個(gè)主要市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)行列。從2017中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)中得知,這一狀況有可能會(huì)改變。目前國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器芯片主要參與者有三個(gè),分別是福建泉州的晉華存儲(chǔ)、湖北武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)以及紫光集團(tuán)。其中,長(zhǎng)江存儲(chǔ)初期定位發(fā)展Flash 產(chǎn)品,后期將擴(kuò)展DRAM產(chǎn)品,晉華存儲(chǔ)項(xiàng)目定位DRAM產(chǎn)品。紫光集團(tuán)除直接入股長(zhǎng)江存儲(chǔ)外,還將在不同地點(diǎn)布局DRAM、Flash產(chǎn)品。
      賽迪顧問(wèn)人士透露,在兩年的準(zhǔn)備期之后,2017年上述項(xiàng)目將進(jìn)入實(shí)質(zhì)性項(xiàng)目建設(shè)階段。長(zhǎng)江存儲(chǔ)是目前進(jìn)展最快的一方,長(zhǎng)江存儲(chǔ)本身在Flash領(lǐng)域已經(jīng)有較豐富的經(jīng)驗(yàn),有望率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。晉華項(xiàng)目已經(jīng)開(kāi)工建設(shè),項(xiàng)目運(yùn)營(yíng)由經(jīng)驗(yàn)豐富的臺(tái)灣臺(tái)積電負(fù)責(zé),技術(shù)則委托聯(lián)電進(jìn)行開(kāi)發(fā)。紫光集團(tuán)目前在南京開(kāi)工新建Flash產(chǎn)線。

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