MCU微控制器作為一個(gè)需要集成的CPU，SRAM，最常見(jiàn)的存儲(chǔ)方式主要包括非易失性存儲(chǔ)器及其專(zhuān)用外設(shè)芯片eDRAM，SRAM易失性存儲(chǔ)器，閃存，EEPROM非易失性存儲(chǔ)器，其中集成閃存是MCU主要特點(diǎn)。隨著時(shí)間的推移，閃存逐漸開(kāi)始成為一種約束MCU提高性能、降低功耗的瓶頸之一。
 
MRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間比閃存更長(zhǎng)，MRAM與其他新興的非揮發(fā)性技術(shù)相比，編程人員可以靈活地應(yīng)用內(nèi)存。工程師不再需要將程序代碼限制在內(nèi)NOR大小或限定數(shù)據(jù)只能在SRAM的大小，不僅優(yōu)化了設(shè)計(jì)，而且通過(guò)讓同樣的基于MRAM的MCU在多種應(yīng)用中，可以為一些客戶(hù)降低成本。
 
MRAM技術(shù)是STT-MRAM，做為MRAM一種變體，其周?chē)娮拥淖孕龝?huì)影響MTJ極性。以其他方式的MRAM相比，STT-MRAM具有低功耗和進(jìn)一步擴(kuò)展的能力，雖然STT-MRAM具有與DRAM和SRAM相當(dāng)特性，例如電源關(guān)閉，信息也不會(huì)丟失，和DRAM一樣可隨機(jī)存取；可擦寫(xiě)頻率超過(guò)1015次，和DRAM及SRAM相當(dāng)，大大超過(guò)了105次閃存等，但它似乎也可以在10nm完成以下過(guò)程，5nm引入技術(shù)節(jié)點(diǎn)STT-MRAM作為最后一級(jí)(L3)緩存存儲(chǔ)器的可行性，所以很多人認(rèn)為，STT-MRAM會(huì)改變“存儲(chǔ)器(硬盤(pán)和NAND閃存)是非易失性、更高層次的內(nèi)存（DRAM及SRAM）為易失性”傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)架構(gòu)，是領(lǐng)先的存儲(chǔ)技術(shù)之一。


本文關(guān)鍵詞：SRAM,MRAM,DRAM

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