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LPDRAM生產(chǎn)廠家JSC濟州半導體

2022-06-16 10:13:48

DRAM主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象,導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態(tài)”存儲器。
 
DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有訪問速度較慢,耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取存儲器(ram)一樣,由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會在電力切斷以后很快消失,因此它屬于一種易失性存儲器設備。
 
JSC濟州半導體是全球最大的移動應用解決方案提供商之一的DRAM廠家。
 
JSC濟州半導體LPDRAM產(chǎn)品線主要包括LPDRAM (KGD),LPDRAM (SDR/DDR1),LPDRAM (DDR2),LPDRAM (DDR4x),產(chǎn)品更新到16Gb的容量,LPDRAM 有幾種 Block Refresh PASR(部分陣列自刷新、自動 TCSR(溫度補償自刷新)根據(jù)芯片溫度改變刷新周期、根據(jù)使用情況改變驅動器強度的模式、DPD 深度掉電)模式等。
 
LPDRAM可為計算設備、手機以及汽車信息娛樂系統(tǒng)提供各種特性和功能。用更低的功耗、更少的時間和空間來設計應用。提供各種低功耗DRAM (LPDRAM),這些器件具有低功耗、高性能、各種密度選項和寬溫度范圍,可充分利用各類設計。更多產(chǎn)品相關詳情及技術支持、解決方案咨詢JSC官方代理英尚微電子。


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LPDDR4X產(chǎn)品型號

Type Part Number Density BUS Voltage Max Frequency Package Type Status
LPDDR4x2CHx32 JSL4BAG329ZAMF-05 16Gb x32 1.8V/0.6V 1866Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now
LPDDR4x2CHx32 JSL4BAG329ZAMF-05A 16Gb x32 1.8V/0.6V 2133Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now
LPDDR4x2CHx32 JSL4A8G329ZAMF-05 8Gb x32 1.8V/0.6V 1866Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now
LPDDR4x2CHx32 JSL04A8G329ZAMF-05A 8Gb x32 1.8V/0.6V 2133Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now
LPDDR4x1CHx16 JSL4B8G168ZAMF-05 8Gb x16 1.8V/0.6V 1866Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now
LPDDR4x1CHX16 JSL4B8G168ZAMF-05A 8Gb x16 1.8V/0.6V 2133Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now
LPDDR4x1CHx16 JSL4A4G168ZAMF-05A 4Gb x16 1.8V/0.6V 2133Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now
LPDDR4x1CHx16 JSL4A4G168ZAMF-05 4Gb x16 1.8V/0.6V 1866Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now
 
 
本文關鍵詞:LPDRAM,JSC,DRAM


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