富士通型號MB85RC04V是一款FRAM芯片，位寬為512字×8位，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元。與SRAM不同，MB85RC04V能夠在不使用數(shù)據(jù)備份電池的情況下保留數(shù)據(jù)。MB85RC04V使用的非易失性存儲單元的讀/寫壽命提高到至少10¹²個周期，在數(shù)量上明顯優(yōu)于其他非易失性存儲產(chǎn)品。MB85RC04V鐵電存儲器在寫入存儲器后不需要輪詢序列，例如閃存或E²PROM的情況。
 
特點
•位配置：512字×8位
•兩線串行接口：完全由兩個端口控制：串行時鐘（SCL）和串行數(shù)據(jù)（SDA）。
•工作頻率：1MHz（最大）
•讀/寫耐久性：10¹²次/字節(jié)
•數(shù)據(jù)保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超過200年(+35℃)
•工作電源電壓：3.0V至5.5V
•低功耗：工作電源電流90μA(Typ@1MHz)，待機電流5μA（典型值）
•工作環(huán)境溫度范圍:−40℃至+85℃
•封裝：8-SOP RoHS合規(guī)
 
I2C（內部集成電路）
MB85RC04V具有兩線串行接口；I2C總線，作為從設備運行。I2C總線定義了“主”和“從”設備的通信角色，主端擁有啟動控制的權限。此外，I2C總線連接是可能的，其中單個主設備連接到多臺從屬設備以組線配置。在這種情況下，需要為從設備分配一個唯一的設備地址，主設備在指定從設備通過地址進行通信后開始通信。
 
FRAM是一種非易失性鐵電存儲器，因為它結合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。富士通FUJITSU代理英尚微可提供產(chǎn)品測試及技術支持。


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