提起存儲(chǔ)器IC的分類，大家馬上想起儲(chǔ)器可以分為RAM和ROM兩大類。
     ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過(guò)來(lái)就是只讀存儲(chǔ)器。常見的ROM又可分為掩膜ROM(有時(shí)直接稱為ROM)、PROM(Programmable ROM：可編程ROM，特指一次編程的ROM)、EPROM(Erasable Programmable ROM：可擦除可編程的ROM，擦除時(shí)用紫外線)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM：電可擦除可編程ROM)。
      以上是大家在各種教材上看到的存儲(chǔ)器的分類。
      但問題是，ROM明明叫只讀存儲(chǔ)器，也就是不可寫的存儲(chǔ)器，現(xiàn)實(shí)是除了掩膜ROM是不可寫的外，PROM、EPROM、EEPROM事實(shí)上都是可寫的。它們的名稱中還帶有“ROM”是名不副實(shí)的叫法。掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM這幾種存儲(chǔ)器的共同特點(diǎn)其實(shí)是斷電后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失，所以可以歸類為非易失性存儲(chǔ)器(即Non-Volatile Memory)。
      SRAM、DRAM的共同特點(diǎn)是掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，所以也可稱為易失性存儲(chǔ)器(Volatile memory)。
      于是，存儲(chǔ)器從大類來(lái)分，可以分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。
      后來(lái)出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲(chǔ)，簡(jiǎn)稱閃存)，掉電后數(shù)據(jù)也不容易丟失，所以也屬于非易失性存儲(chǔ)器。Flash Memory的名稱中已經(jīng)不帶ROM字樣了，但是傳統(tǒng)的分類方法中，還是把Flash Memory歸類為ROM類，事實(shí)上此時(shí)是因?yàn)檫@些存儲(chǔ)器都是非易失的。
      把存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器就萬(wàn)事大吉了么？
      令人糾結(jié)的是，有一種新的存儲(chǔ)器，它既是非易失的，同時(shí)又是能夠高速隨時(shí)讀寫數(shù)據(jù)的，也就是說(shuō)能夠隨機(jī)存取的。這種存儲(chǔ)器就是FRAM(Ferroelectric Random Access Memory：鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱鐵電存儲(chǔ)器)。把FRAM歸類為非易失性存儲(chǔ)器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。
于是，存儲(chǔ)器的分類令人糾結(jié)。傳統(tǒng)的分為RAM與ROM的方式本來(lái)就不科學(xué)。如果分成RAM與非易失性存儲(chǔ)器這兩大類，也不科學(xué)，因?yàn)檫@個(gè)分類本身就不是按同一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)分的，導(dǎo)致FRAM即屬于RAM，又屬于非易失性存儲(chǔ)器。如果只分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，又導(dǎo)致FRAM與SRAM、DRAM分家，大家都有RAM嘛，憑什么分開是吧。
      所以：存儲(chǔ)器分成隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和非隨機(jī)存取存儲(chǔ)器兩大類芯片比較合適。
存儲(chǔ)器的分類如下(按存取速度分類)：
1、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：SRAM、DRAM、FRAM；
2、非隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。
差強(qiáng)人意的分類為(按易失性分類)：
1、易失性存儲(chǔ)器：SRAM、DRAM；
2、非易失性存儲(chǔ)器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory、FRAM。