在半導體代工市場上，臺積電一貫都以先進的工藝著稱，三星為了追趕臺積電而選擇直接跳過20nm工藝直接進行開發(fā)14nmFinFET工藝，盡管臺積電首先開發(fā)出16nm工藝，但是由于能效不佳甚至不如20nm工藝，所以只好進行改進引入FinFET工藝，因此三星工藝成功趕超臺積電。
       2015年年初三星成功量產14nmFinFET工藝，而臺積電的16nmFinFET工藝則延遲到同年三季度才開始量產。在臺積電成功量產16nmFinFET工藝后卻優(yōu)先幫襯蘋果用于生產A9處理器，而幫助它研發(fā)16nmFinFET工藝的華為海思則沒獲得禮遇，導致采用該工藝的麒麟950芯片延遲到11月初才發(fā)布。
      于是雙方將目標都聚集在10nm和7nm工藝上，希望爭取先量產。在過去的一年時間里，臺媒曾多次傳出消息指臺積電的10nm工藝進展快速，不過最終在去年10月份三星宣布自家的10nm工藝正式量產并采用該工藝生產出高通的驍龍835芯片，再次超越臺積電。
      在MWC2017上聯(lián)發(fā)科大事宣傳將使用臺積電的10nm工藝生產的helio X30芯片，不過暫時不知道哪個手機企業(yè)會采用該款存儲芯片，而早前傳出消息指曾計劃采用該款芯片的小米已放棄引入。采用三星10nm工藝生產的驍龍835則被中興和索尼采用并在MWC2017上展示，預計4月份三星采用該款芯片的高端手機galaxy S8將會大規(guī)模上市，從事實上來說這次三星和高通成為10nm工藝的贏家！
      現(xiàn)在臺積電和三星正在積極促進它們的7nm工藝量產，各方的消息稱它們有可能今年底或明年初量產7nm工藝。在最關鍵的EUV（極紫外光微影）設備方面，三星早在2016年就已耗費1．78億美元從ASML采購EUV設備，而臺積電則估計從今年1月裝設EUV設備，從這個方面來說前者已搶先一步。
       臺積電今年還面臨著其他的問題，現(xiàn)在它的10nm工藝良率過低迫使它集中資源提升良率，同時在開發(fā)16nmFinFET的改進工藝12nmFinFET，接下來又需要確保有足夠的產能滿足蘋果將用于iPhone8的A11處理器對10nm工藝產能的強大需求，這導致它難以集中更多資源開發(fā)7nm工藝。
      當然三星當然也面臨著10nm工藝良率的問題，不過它除了這方面需要投入資源外沒有更多需要擔心的地方，因此可以將更多資源專注于7nm工藝，再加上在EUV技術方面領先于臺積電進行投入，因此有可能在7nm工藝上先于臺積電量產。
     三星和臺積電在7nm工藝上有可能真正實現(xiàn)對半導體老大臺積電的超越，雖然在命名上這兩者的10nm工藝與Intel的10nm一樣，不過業(yè)界普遍認為它們的7nm工藝才能實現(xiàn)領先于Intel的10nm，當前它們的10nm估計只是稍好與Intel的14nmFinFET，Intel預計今年下半年會量產10nm工藝，也因此它們才如此看重誰搶先量產7nm工藝。