美國ISSI公司是為汽車和通信，數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場設(shè)計開發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年來對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到了汽車，通信，數(shù)字消費，工業(yè)和醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。
 
ISSI IS61WV25616BLL是高速的4Mbit靜態(tài)SRAM，它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的器件。當(dāng)CE為高電平（取消選擇）時，器件將進入待機模式，在該模式下，可通過CMOS輸入電平降低功耗。通過使用芯片使能和輸出使能輸入CE和OE，可以輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）訪問。IS61WV25616BLL封裝在JEDEC標準的44引腳TSOP TypeII和48引腳Mini BGA（6mmx8mm）中。ISSI代理英尚微電子支持提供樣品及產(chǎn)品技術(shù)支持等服務(wù)。

 
IS61WV25616BLL特征
高速：（IS61WV25616BLL）
•高速訪問時間：8、10、20ns
•低有功功率：85mW（典型值）
•低待機功率：7mW（典型值）
CMOS待機
•高速訪問時間：25、35、45ns
•低有功功率：35mW（典型值）
•低待機功率：0.6mW（典型值）
CMOS待機
•單電源
-VDD2.4V至3.6V（IS61/64WV25616Bxx）
•完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•高低字節(jié)數(shù)據(jù)控制
•工業(yè)和汽車溫度支持
•無鉛可用
 
ISSI公司跨各種終端市場對高性能存儲設(shè)備的需求不斷增長，這為高性能存儲集成電路的集中供應(yīng)商提供了巨大的機會。以開發(fā)領(lǐng)先的工藝技術(shù)，并在行業(yè)升級周期中更安全地獲取晶圓產(chǎn)能。并為滿足客戶需求提供長期供應(yīng)。繼續(xù)開發(fā)和提供高性能產(chǎn)品。為主要市場開發(fā)精選的非內(nèi)存產(chǎn)品。為了增加產(chǎn)品的多樣化并提供SRAM，DRAM和閃存專業(yè)知識相輔相成的產(chǎn)品，開發(fā)精選的非內(nèi)存產(chǎn)品以供主要市場使用。


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